11 月 21 日消息,日本瑞薩電子昨日宣布率先推出面向第二代 DDR5 MRDIMM(IT之家注:12800MT/s)的完整內存接口芯片組解決方案,包含新款 MRCD、MDB、PMIC 芯片和配套的溫度傳感器與 SPD 集線器。
瑞薩表示,AI、HPC 和其它數(shù)據(jù)中心應用對內存帶寬的要求不斷提高,這就需要新的 DDR5 MRDIMM。與目前 8800MT/s 的初代產(chǎn)品相比,下一代 DDR5 MRDIMM 可實現(xiàn) 35% 的內存帶寬提升。

瑞薩此次推出了三款面向第二代 DDR5 MRDIMM 的全新關鍵組件,分別是多路復用寄存時鐘驅動器(MRCD)芯片 RRG50120、多路復用數(shù)據(jù)緩沖器(MDB)芯片 RRG51020、PMIC 芯片 RRG53220。這三款芯片現(xiàn)已出樣,計劃 2025H1 投產(chǎn)。
瑞薩表示其第二代 MRCD 芯片 RRG50120 相較初代產(chǎn)品功耗降低 45%;而為 DDR5 MRDIMM 打造的第二代 PMIC 芯片 RRG53220 可提供出色的電氣過壓保護和卓越的能效,并針對高電流及低電壓操作進行了優(yōu)化。
瑞薩高管 Davin Lee 表示:
AI 和 HPC 應用對更高性能系統(tǒng)的需求持續(xù)增長。瑞薩緊跟這一趨勢,與行業(yè)領導者攜手開發(fā)下一代技術及規(guī)范。這些公司依靠瑞薩提供的專業(yè)技術知識和生產(chǎn)能力來滿足日益增長的需求。
我們面向第二代 DDR5 MRDIMM 的最新芯片組解決方案,體現(xiàn)了瑞薩在這一市場領域的卓越地位。